无卤素状态 Halogen Free
漏源极电阻 30 Ω
耗散功率 225 mW
漏源极电压Vds 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 14pF @15VVgs
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SMMBF4391LT1G | ON Semiconductor 安森美 | JFET开关晶体管 JFET Switching Transistors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMMBF4391LT1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-23-3 225mW | 当前型号 | JFET开关晶体管 JFET Switching Transistors | 当前型号 | |
型号: MMBF4391LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 30V 50mA 225mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBF4391LT1G. 场效应管, JFET | SMMBF4391LT1G和MMBF4391LT1G的区别 | |
型号: MMBF4391 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 350mW | 类似代替 | ON Semiconductor MMBF4391 N通道 JFET 晶体管, Vds=0.4 V, Idss: 50 → 150mA, 3引脚 SOT-23封装 | SMMBF4391LT1G和MMBF4391的区别 | |
型号: MMBF4392 品牌: 安森美 封装: | 类似代替 | MMBF4392 结型n沟道场效应管 30V 75MA SOT23 代码 6K | SMMBF4391LT1G和MMBF4392的区别 |