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MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBF4393LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3


立创商城:
N 沟道 JFET 晶体管


欧时:
ON Semiconductor MMBF4393LT1G N通道 JFET 晶体管, Vds=30 V, Idss: 5 → 30mA, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
JFET 30V 10mA


艾睿:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
TRANSISTOR; JFET; N-CHANNEL; SOT-23; 100 OHMS MAX.; 30; 30; -55; +150


安富利:
Trans JFET N-CH 30V 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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Trans JFET N-CH 30V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBF4393LT1G  JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23


MMBF4393LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 mA

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 -30.0 V

漏源极电阻 100 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

输入电容 14 pF

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 50.0 mA

击穿电压 30 V

输入电容Ciss 14pF @15VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBF4393LT1G引脚图与封装图
MMBF4393LT1G引脚图

MMBF4393LT1G引脚图

MMBF4393LT1G封装焊盘图

MMBF4393LT1G封装焊盘图

在线购买MMBF4393LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBF4393LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBF4393LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET 搜索库存
替代型号MMBF4393LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBF4393LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 50mA 225mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBF4393LT1G  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, SOT-23, JFET

当前型号

型号: MMBF4393LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 30V 50mA

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品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 N-Channel 225mW

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品牌: 安森美

封装: SOT-23-3 350mW

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