MTB50P03HDLT4、MTB50P03HDLT4G、MTB50P03HDLG对比区别

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型号 MTB50P03HDLT4 MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLG

描述 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAKON SEMICONDUCTOR  MTB50P03HDLT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK-50A,-30V,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -50.0 A -50.0 A -50.0 A

漏源极电阻 25 mΩ 0.025 Ω 25.0 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 125 W 125 W 2.5W (Ta), 125W (Tc)

输入电容 - - 4.90 nF

栅电荷 - - 100 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 50.0 A

上升时间 340 ns 340 ns 340 ns

输入电容(Ciss) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds) 4900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W

下降时间 218 ns 218 ns 218 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 1.5 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V -

通道数 1 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.29 mm 10.29 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99