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DTA043ZMT2L、DTA123JEBTL、DTA143ZM3T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA043ZMT2L DTA123JEBTL DTA143ZM3T5G

描述 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率EMTF PNP 50V 100mAPNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 VMT-3 SOT-490 SOT-723-3

额定功率 0.15 W 0.15 W -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.15 W 0.15 W 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @10mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 260 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz -

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 600 mW

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

封装 VMT-3 SOT-490 SOT-723-3

长度 - - 1.25 mm

宽度 - - 0.85 mm

高度 - - 0.55 mm

产品生命周期 Active Not For New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99