DTA043ZMT2L
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
DTA043ZMT2L中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
外形尺寸
封装 VMT-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DTA043ZMT2L引脚图与封装图
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在线购买DTA043ZMT2L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DTA043ZMT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率 | 搜索库存 |
替代型号DTA043ZMT2L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DTA043ZMT2L 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VMT-3 PNP | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率 | 当前型号 |
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| 型号： DTA044EMT2L 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-105-3 PNP | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率 | DTA043ZMT2L和DTA044EMT2L的区别 |
| 型号： DTA023JEBTL 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-89-3 PNP | 完全替代 | 晶体管 双极预偏置/数字, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, 0.05 电阻比率 | DTA043ZMT2L和DTA023JEBTL的区别 |