FDS6676AS、STS14N3LLH5、SI4156DY-T1-GE3对比区别

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型号 FDS6676AS STS14N3LLH5 SI4156DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6676AS  晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 VN沟道30 V ， 0.005 Ω ， 14 A - SO- 8的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET™ V Power MOSFETVISHAY  SI4156DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.0045 Ω 5 mΩ 0.0048 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.7 W 2.5 W

阈值电压 1.5 V 1 V 2.2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14.5 A 7.00 A 24.0 A

上升时间 12 ns 14.5 ns 20 ns

下降时间 29 ns 4.5 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 30 V 30 V -

输入电容(Ciss) 2510pF @15V(Vds) 1500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2.7 W -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.7W (Tc) -

栅源击穿电压 ±16.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

产品生命周期 Active Obsolete -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -