锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FQD2N90、FQD2N90TF、STD3NK90ZT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD2N90 FQD2N90TF STD3NK90ZT4

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETN沟道 900V 1.7AN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) - 900 V 900 V

额定电流 - 1.70 A 3.00 A

漏源极电阻 - 7.20 Ω 4.1 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 90 W

输入电容 - 500 pF -

栅电荷 - 15.0 nC -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

漏源击穿电压 - 900 V 900 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.7A 1.70 A 3.00 A

输入电容(Ciss) - 500pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 90 W

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 90W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3.75 V

上升时间 - - 7 ns

下降时间 - - 18 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99