STS6PF30L、STS7PF30L、STS3DPF60L对比区别

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型号 STS6PF30L STS7PF30L STS3DPF60L

描述 P沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFETP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET双P沟道60V - 0.10欧姆 - 3A SO- 8 MOSFET的STripFET DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -60.0 V

额定电流 -6.00 A -7.00 A -3.00 A

漏源极电阻 30.0 mΩ 0.016 Ω 120 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5W (Tc) 2.5 W 2 W

阈值电压 - 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.00 A 3.00 A

上升时间 140 ns 54 ns 54 ns

输入电容(Ciss) 1670pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 630pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2 W

下降时间 19 ns 23 ns 14.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2 W

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -