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STS7PF30L

STS7PF30L

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P沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

As an alternative to traditional transistors, the power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 2500 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

STS7PF30L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -7.00 A

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

STS7PF30L引脚图与封装图
STS7PF30L引脚图

STS7PF30L引脚图

STS7PF30L封装图

STS7PF30L封装图

STS7PF30L封装焊盘图

STS7PF30L封装焊盘图

在线购买STS7PF30L
型号 制造商 描述 购买
STS7PF30L ST Microelectronics 意法半导体 P沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET 搜索库存
替代型号STS7PF30L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STS7PF30L

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： SOIC P-Channel 30V 7A 21mΩ

当前型号

P沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

当前型号

型号： STS6PF30L

品牌： 意法半导体

封装： SOIC P-Channel 30V 6A 30mohms

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型号： STS3DPF60L

品牌： 意法半导体

封装： SOIC P-Channel 60V 3A 120mohms

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STS7PF30L和STS3DPF60L的区别

型号： FDS4435BZ

品牌： 飞兆/仙童

封装： SOIC P-Channel -30V -8.8A 16mohms 1.36nF

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