STS6PF30L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -6.00 A
漏源极电阻 30.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 1670pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS6PF30L引脚图与封装图 
STS6PF30L引脚图
STS6PF30L封装图
STS6PF30L封装焊盘图
在线购买STS6PF30L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS6PF30L | ST Microelectronics 意法半导体 | P沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STS6PF30L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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