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MMBTH10-7-F、MMBTH11、MMBTH10-7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTH10-7-F MMBTH11 MMBTH10-7

描述 MMBTH10 Series 25V 50mA 300mW NPN VHF/UHF Transistor - SOT-23-3NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA

极性 NPN - NPN

耗散功率 0.3 W 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

集电极最大允许电流 0.05A - 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V 60

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

频率 650 MHz 650 MHz -

额定功率 0.3 W - -

耗散功率(Max) 300 mW 225 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @4mA, 10V -

长度 - 2.9 mm 3.05 mm

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.93 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 -