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数据手册.pdfNPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO | 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC | 50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT | 650Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE | 60 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 350mW/0.35W Description & Applications | NPN RF Transistor This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100 µA to 10 mA range to 300 MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers. Sourced from Process 47. 描述与应用 | NPN RF 该设备是专为共发射极低噪声放大器 和混频器的应用程序与集电极电流在100μA 10 mA范围300 MHz和低频漂移共基 VHF振荡器的应用程序用于驱动具有高输出电平 FET混频器。