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MMBTH10-7-F

MMBTH10-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MMBTH10 Series 25V 50mA 300mW NPN VHF/UHF Transistor - SOT-23-3

TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3


得捷:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3


立创商城:
NPN 25V 50mA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
NPN VHF/UHF Transistor SOT-23


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Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


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Win Source:
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3


DeviceMart:
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3


MMBTH10-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 650 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 mA

额定功率 0.3 W

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

MMBTH10-7-F引脚图与封装图
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在线购买MMBTH10-7-F
型号 制造商 描述 购买
MMBTH10-7-F Diodes 美台 MMBTH10 Series 25V 50mA 300mW NPN VHF/UHF Transistor - SOT-23-3 搜索库存
替代型号MMBTH10-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBTH10-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-23-3 NPN 25V 50mA 300mW

当前型号

MMBTH10 Series 25V 50mA 300mW NPN VHF/UHF Transistor - SOT-23-3

当前型号

型号： MMBTH10-7

品牌： 美台

封装： SOT-23/SC-59 NPN 25V 50mA

类似代替

NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安

MMBTH10-7-F和MMBTH10-7的区别

型号： MMBTH10LT3G

品牌： 安森美

封装： SOT-23-3 NPN 225mW

功能相似

ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

MMBTH10-7-F和MMBTH10LT3G的区别

型号： MMBTH10-TP

品牌： 美微科

封装： TO-236-3 0.225W

功能相似

Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R

MMBTH10-7-F和MMBTH10-TP的区别