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MMBTH10-7
Diodes(美台) 分立器件

NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 50mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 650Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 60 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR Designed for VHF/UHF Amplifier Applications and High Output VHF Oscillators High Current Gain Bandwidth Product Ideal for Mixer and RF Amplifier Applications with collector currents in the 100 A - 30 mA Range 描述与应用| NPN表面贴装VHF/ UHF VHF/ UHF放大器应用设计 和高输出的高频振荡器 高电流增益带宽积 非常适于混频器和射频放大器应用 集电极电流范围100 - 30毫安

MMBTH10-7中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 60

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

MMBTH10-7引脚图与封装图
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在线购买MMBTH10-7
型号 制造商 描述 购买
MMBTH10-7 Diodes 美台 NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安 搜索库存
替代型号MMBTH10-7
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBTH10-7

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23/SC-59 NPN 25V 50mA

当前型号

NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安

当前型号

型号: MMBTH10-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 NPN 25V 50mA 300mW

类似代替

MMBTH10 Series 25V 50mA 300mW NPN VHF/UHF Transistor - SOT-23-3

MMBTH10-7和MMBTH10-7-F的区别

型号: MMBTH10LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 25V 4mA 225mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTH10LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE

MMBTH10-7和MMBTH10LT1G的区别

型号: MMBTH10-TP

品牌: 美微科

封装: TO-236-3 0.225W

功能相似

Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R

MMBTH10-7和MMBTH10-TP的区别