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CSD17551Q5A、FDMS8888、IRFH8334TR2PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17551Q5A FDMS8888 IRFH8334TR2PBF

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD17551Q5A  晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 VN沟道MOSFET PowerTrench® N-Channel PowerTrench® MOSFETQFN N-CH 30V 14A

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerTDFN-8 Power-56-8 QFN-8

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.007 Ω 0.008 Ω 0.0072 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3 W 42 W 3.2 W

阈值电压 1.7 V 1.9 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 13.5A 13.5A 14A

上升时间 15.5 ns 6 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 1272pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds) 1180pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 3 W 2.5 W -

下降时间 4.3 ns 4 ns 4.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 3.2W (Ta), 30W (Tc)

针脚数 8 - -

长度 - 6 mm -

宽度 4.9 mm 5 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 PowerTDFN-8 Power-56-8 QFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17