通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.007 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.5A
上升时间 15.5 ns
输入电容Ciss 1272pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 4.3 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
宽度 4.9 mm
封装 PowerTDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD17551Q5A引脚图
CSD17551Q5A封装图
CSD17551Q5A封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD17551Q5A | TI 德州仪器 | TEXAS INSTRUMENTS CSD17551Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD17551Q5A 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON N-Channel 30V 13.5A | 当前型号 | TEXAS INSTRUMENTS CSD17551Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： CSD17507Q5A 品牌： 德州仪器 封装： 8-PowerTDFN N-Channel 30V 65A | 类似代替 | 30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET，Vgs 为 20V | CSD17551Q5A和CSD17507Q5A的区别 |
| 型号： IRFH7914TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 15A | 功能相似 | INFINEON IRFH7914TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.8 V | CSD17551Q5A和IRFH7914TRPBF的区别 |
| 型号： CSD17327Q5A 品牌： 德州仪器 封装： SON N-CH 30V 13A | 功能相似 | 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD17551Q5A和CSD17327Q5A的区别 |
