FDB14AN06LA0、STP55NF06、STP75NF75对比区别

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型号 FDB14AN06LA0 STP55NF06 STP75NF75

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 60A ， 14.6mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mзMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 75.0 V

额定电流 60.0 A 50.0 A 80.0 A

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 12.8 mΩ 0.015 Ω 0.0095 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 30 W 300 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 75 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 75.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 50.0 A 80.0 A

上升时间 169 ns 50 ns 25.0 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W 110 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) - - 175 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 110W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 2.90 nF - -

栅电荷 3.00 nC - -

下降时间 50 ns 15 ns -

额定功率 - 110 W -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 9.65 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 4.83 mm 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16

ECCN代码 EAR99 - EAR99