针脚数 8
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 741pF @30VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD88539ND引脚图
CSD88539ND封装图
CSD88539ND封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD88539ND | TI 德州仪器 | TEXAS INSTRUMENTS CSD88539ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD88539ND 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC Dual N-Channel 60V 15A | 当前型号 | TEXAS INSTRUMENTS CSD88539ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： CSD88539NDT 品牌： 德州仪器 封装： SOIC Dual N-Channel 60V 15A | 完全替代 | TEXAS INSTRUMENTS CSD88539NDT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V | CSD88539ND和CSD88539NDT的区别 |
