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DMN2005K-7、MMBF170-7-F、MMBF0201NLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN2005K-7 MMBF170-7-F MMBF0201NLT1G

描述 N沟道,Vdss=20V,Idss=300mAMMBF170-7-F 编带ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 0.35 W 300 mW 225 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 60 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 0.3A 500 mA 300 mA

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) 300 mW 225mW (Ta)

额定电压(DC) - 60.0 V 20.0 V

额定电流 - 500 mA 300 mA

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 5 Ω 0.75 Ω

阈值电压 - 2.1 V 1.7 V

输入电容 - 40.0 pF 45.0 pF

漏源击穿电压 - 70.0 V 62 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

上升时间 - - 2.5 ns

输入电容(Ciss) - 40pF @10V(Vds) 45pF @5V(Vds)

下降时间 - - 0.8 ns

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - Yes -

ECCN代码 - EAR99 EAR99