DMN2005K-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
N沟道,Vdss=20V,Idss=300mA
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V
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最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 10v
最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1,7Ω/Ohm @200mA,2,7V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.53-0.9V
耗散功率Pd Power Dissipation| 350mW/0.35W
Description & Applications| Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant Note 2 • "Green" Device Note 4 • ESD Protected Gate
描述与应用| 低导通电阻 •非常低的栅极阈值电压，0.9V最大。 •开关速度快 •低输入/输出漏 •超小型表面贴装封装 •铅免费设计/ RoHS合规（注2） •“绿色”设备（注4） •ESD保护门