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MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V

N-Channel 20V 300mA Ta 225mW Ta Surface Mount SOT-23-3 TO-236


欧时:
ON Semiconductor, MMBF0201NLT1G


得捷:
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3


立创商城:
MMBF0201NLT1G


贸泽:
MOSFET 20V 300mA N-Channel


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then ON Semiconductor&s;s MMBF0201NLT1G power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 225 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 300 mA, 20 V, 0.75 ohm, 10 V, 1.7 V


力源芯城:
0.3A,20V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23


MMBF0201NLT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 300 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.75 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

阈值电压 1.7 V

输入电容 45.0 pF

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 62 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 300 mA

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 45pF @5VVds

额定功率Max 225 mW

下降时间 0.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBF0201NLT1G引脚图与封装图
MMBF0201NLT1G引脚图

MMBF0201NLT1G引脚图

MMBF0201NLT1G封装焊盘图

MMBF0201NLT1G封装焊盘图

在线购买MMBF0201NLT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBF0201NLT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V 搜索库存
替代型号MMBF0201NLT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBF0201NLT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 20V 300mA 1ohms 45pF

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBF0201NLT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-23, SMD, 20V

当前型号

型号: MMBF0201NLT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 20V 300mA 1Ω

类似代替

功率MOSFET 300毫安, 20伏 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts

MMBF0201NLT1G和MMBF0201NLT1的区别

型号: IRLML2402TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 20V 1.2A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

MMBF0201NLT1G和IRLML2402TRPBF的区别

型号: 2N7002

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 N-Channel 60V 120mA 7.5ohms

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

MMBF0201NLT1G和2N7002的区别