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TLC27L1AID、TLC27L1IDR、TLC27L1CDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27L1AID TLC27L1IDR TLC27L1CDR

描述 LinCMOS,微功耗运放LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC 0 to 70

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 14 µA 14 µA 14 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 725 mW 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65dB ~ 94dB 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 85.0 kHz 85.0 kHz 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs

增益频宽积 0.085 MHz 85 kHz 0.085 MHz

输入补偿电压 900 µV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ 0 ℃

增益带宽 0.085 MHz 0.085 MHz 0.085 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) 16 V 16 V -

电源电压(Min) 4 V 4 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free