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TLC27L1CDR

TLC27L1CDR

TI(德州仪器) 主动器件

LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC 0 to 70

General Purpose Amplifier 1 Circuit 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLC27L1CDR


德州仪器TI:
Single, 16-V, 85-kHz, low power 10-μA/ch, In to V- operational amplifier


艾睿:
Op Amp Single Low Power Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Low PowerLinCMOSTM Low-Power Operational Amplifier OP Amp Single GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Single Low Power Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
IC OPAMP GP 110KHZ 8SOIC


TLC27L1CDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 14 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 85.0 kHz

转换速率 30.0 mV/μs

增益频宽积 0.085 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

增益带宽 0.085 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLC27L1CDR引脚图与封装图
TLC27L1CDR引脚图

TLC27L1CDR引脚图

TLC27L1CDR封装图

TLC27L1CDR封装图

TLC27L1CDR封装焊盘图

TLC27L1CDR封装焊盘图

在线购买TLC27L1CDR
型号 制造商 描述 购买
TLC27L1CDR TI 德州仪器 LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC 0 to 70 搜索库存
替代型号TLC27L1CDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLC27L1CDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 85kHz 1Channel 8Pin

当前型号

LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC 0 to 70

当前型号

型号: TLC27L1CD

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 85kHz 1Channel 8Pin

完全替代

LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

TLC27L1CDR和TLC27L1CD的区别

型号: TLC27L1CDG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 30mV/us 1Channel

完全替代

OP Amp Single GP 16V 8Pin SOIC Tube

TLC27L1CDR和TLC27L1CDG4的区别

型号: TLC27L1AID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 30mV/us 1Channel

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