STB21NM60ND、STW24NM60N、STB21NM60N对比区别

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型号 STB21NM60ND STW24NM60N STB21NM60N

描述 STMICROELECTRONICS  STB21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VN沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.17 Ω 0.168 Ω 190 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 125 W 140W (Tc)

阈值电压 4 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 16 ns 16.5 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 125 W 140 W

下降时间 48 ns 37 ns 31 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 17.0 A

输入电容 - - 1.95 nF

栅电荷 - - 66.6 nC

漏源击穿电压 - - 600 V

栅源击穿电压 - - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 17.0 A

长度 10.75 mm 15.75 mm -

宽度 10.4 mm 5.15 mm -

高度 4.6 mm 20.15 mm -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-263-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -