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STW24NM60N

STW24NM60N

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247


立创商城:
N沟道 600V 17A


欧时:
### N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STW24NM60N power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 125W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
600V,17A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 17A TO247


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247


STW24NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.168 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 16.5 ns

输入电容Ciss 1400pF @50VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 37 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW24NM60N引脚图与封装图
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在线购买STW24NM60N
型号 制造商 描述 购买
STW24NM60N ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STW24NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW24NM60N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: STB24NM60N

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel

完全替代

STMICROELECTRONICS  STB24NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V

STW24NM60N和STB24NM60N的区别

型号: STB21NM60ND

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

STW24NM60N和STB21NM60ND的区别

型号: STB21NM60N

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 600V 17A 190mohms 1.95nF

功能相似

N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

STW24NM60N和STB21NM60N的区别