STB21NM60N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 140W Tc
输入电容 1.95 nF
栅电荷 66.6 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1900pF @50VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
STB21NM60N引脚图与封装图 
STB21NM60N引脚图
STB21NM60N封装图
STB21NM60N封装焊盘图
在线购买STB21NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB21NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB21NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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