IPB80N04S2L03ATMA1、STB170NF04、FDB8441对比区别

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型号 IPB80N04S2L03ATMA1 STB170NF04 FDB8441

描述 D2PAK N-CH 40V 80AN沟道 40V 80AN 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 3 - 2

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 28.0 A

上升时间 50 ns 57 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds)

下降时间 27 ns 66 ns 17.9 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

通道数 1 - -

额定电压(DC) - - 40.0 V

额定电流 - - 80.0 A

针脚数 - - 2

漏源极电阻 - - 0.0019 Ω

阈值电压 - - 2.8 V

输入电容 - - 15.0 nF

栅电荷 - - 280 nC

漏源击穿电压 - - 40.0 V

额定功率(Max) - - 300 W

长度 10 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 9.25 mm 9.35 mm 9.65 mm

高度 4.4 mm 4.6 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99