FDB8441
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB8441中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 2
漏源极电阻 0.0019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.8 V
输入电容 15.0 nF
栅电荷 280 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 15000pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 17.9 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB8441引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDB8441
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB8441 | Fairchild 飞兆/仙童 | N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDB8441
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB8441 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 40V 28A 2.5mohms 15nF | 当前型号 | N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDB9406_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263AB N-CH 40V 110A | 类似代替 | N沟道功率MOSFET Trench® 40V ， 110A ， 1.8MI © N-Channel Power Trench® MOSFET 40V, 110A, 1.8mΩ | FDB8441和FDB9406_F085的区别 |
| 型号： FDB8441_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 40V 80A | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDB8441和FDB8441_F085的区别 |
| 型号： SPB80N04S2-04 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 40V 80A 6.98nF | 功能相似 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | FDB8441和SPB80N04S2-04的区别 |