MMBTH10LT1G、MMBTH10LT3G、MMBTH10LT1对比区别
型号 MMBTH10LT1G MMBTH10LT3G MMBTH10LT1
描述 ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFEON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管VHF / UHF晶体管( NPN硅) VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 650 MHz - -
额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V
额定电流 4.00 mA - 4.00 mA
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
针脚数 3 - -
极性 NPN NPN N-Channel
耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 60 @4mA, 10V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) 60 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
增益频宽积 - 650 MHz -
长度 3.04 mm 3.04 mm -
宽度 1.4 mm 2.64 mm -
高度 1.01 mm 1.11 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99