MMBTH10LT3G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 650 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTH10LT3G引脚图与封装图
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在线购买MMBTH10LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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替代型号MMBTH10LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTH10LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 225mW | 当前型号 | ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
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| 型号： MMBTH10LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 25V 4mA 225mW | 类似代替 | VHF / UHF晶体管（ NPN硅） VHF/UHF Transistor NPN Silicon | MMBTH10LT3G和MMBTH10LT1的区别 |
| 型号： MMBTH10 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 225mW | 类似代替 | 晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFE | MMBTH10LT3G和MMBTH10的区别 |