MMBTH10LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 4.00 mA
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 60 @4mA, 10V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBTH10LT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBTH10LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBTH10LT1 | ON Semiconductor 安森美 | VHF / UHF晶体管（ NPN硅） VHF/UHF Transistor NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBTH10LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBTH10LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 25V 4mA 225mW | 当前型号 | VHF / UHF晶体管（ NPN硅） VHF/UHF Transistor NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBTH10 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 225mW | 完全替代 | 晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFE | MMBTH10LT1和MMBTH10的区别 |
| 型号： MMBTH10LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 25V 4mA 225mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE | MMBTH10LT1和MMBTH10LT1G的区别 |
| 型号： MMBTH10LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 NPN 225mW | 类似代替 | ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | MMBTH10LT1和MMBTH10LT3G的区别 |