2N6057、JAN2N3441、2N6338G对比区别
描述 NTE ELECTRONICS 2N6057 晶体管, NPN, 100V, 12A, TO-204AA-2NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 2 3 2
封装 TO-204 TO-66 TO-204-2
频率 - - 40 MHz
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 25.0 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 150 W 3 W 200 W
击穿电压(集电极-发射极) - 140 V 100 V
集电极最大允许电流 - 3A 25A
最小电流放大倍数(hFE) - 25 @500mA, 4V 30 @10A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - - 120
额定功率(Max) - 3 W 200 W
直流电流增益(hFE) 750 - 40
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 3000 mW 200000 mW
针脚数 2 - -
长度 - - 39.37 mm
宽度 - - 26.67 mm
高度 - - 8.51 mm
封装 TO-204 TO-66 TO-204-2
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free
军工级 - - Yes
ECCN代码 - - EAR99