ADR421BR、ADR421BRZ、ADR421BR-REEL7对比区别

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型号 ADR421BR ADR421BRZ ADR421BR-REEL7

描述 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输入电压(DC) 4.50V ~ 18.0V 4.50V ~ 18.0V 18.0V (max)

输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 10 mA 10 mA 10 mA

供电电流 600 μA 600 μA 600 µA

通道数 1 1 1

输入电压(Max) 18 V 18 V 18 V

输出电压(Max) 2.5 V 2.5 V -

输出电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

精度 ±0.04 % - -

输入电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V

额定电流 - 10.0 mA -

针脚数 - 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 End of Life Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -