锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ADR421BRZ
ADI(亚德诺) 主动器件

超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References

Even in the event of large power supply variations, this voltage reference power management device from Analog Devices can produce and maintain a precise DC voltage. With an output that has a voltage of 2.5 V, this is power management at its best. It has an initial accuracy of 0.04%. This will operate at a maximum voltage of 18 V, making it easy to control the power in your circuit. Using a load regulation of 70ppm/mA and line regulation of 35ppm/V is needed for a programmable DC power supply. This voltage reference circuit supports series topology. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This voltage reference circuit has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C. It runs with a maximum temperature coefficient of 3ppm/°C.

ADR421BRZ中文资料参数规格
技术参数

额定电流 10.0 mA

容差 ±0.04 %

输入电压DC 4.50V ~ 18.0V

输出电压 2.5 V

输出电流 10 mA

供电电流 600 μA

通道数 1

针脚数 8

输入电压Max 18 V

输出电压Max 2.5 V

输出电压Min 2.5 V

输出电流Max 10 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

输入电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

温度系数 ±3 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 测试与测量, 医用, 电源管理, 自动化与过程控制, 信号处理, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

ADR421BRZ引脚图与封装图
ADR421BRZ引脚图

ADR421BRZ引脚图

ADR421BRZ封装图

ADR421BRZ封装图

ADR421BRZ封装焊盘图

ADR421BRZ封装焊盘图

在线购买ADR421BRZ
型号 制造商 描述 购买
ADR421BRZ ADI 亚德诺 超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References 搜索库存
替代型号ADR421BRZ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ADR421BRZ

品牌: ADI 亚德诺

封装: 8SOIC 5V 10mA 8Pin

当前型号

超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References

当前型号

型号: ADR421BR

品牌: 亚德诺

封装: SOIC 2.5V 10mA 8Pin

完全替代

超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

ADR421BRZ和ADR421BR的区别

型号: ADR421BRZ-REEL7

品牌: 亚德诺

封装: SOIC 2.5V 10mA 8Pin

类似代替

2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

ADR421BRZ和ADR421BRZ-REEL7的区别

型号: ADR421BR-REEL7

品牌: 亚德诺

封装: SOIC 2.5V 10mA 8Pin

类似代替

超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

ADR421BRZ和ADR421BR-REEL7的区别