容差 ±0.04 %
输入电压DC 18.0V max
输出电压 2.5 V
输出电流 10 mA
供电电流 600 µA
通道数 1
输入电压Max 18 V
输出电压Min 2.5 V
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
输入电压 4.5V ~ 18V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃
温度系数 ±3 ppm/℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
ADR421BR-REEL7引脚图
ADR421BR-REEL7封装图
ADR421BR-REEL7封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADR421BR-REEL7 | ADI 亚德诺 | 超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ADR421BR-REEL7 品牌: ADI 亚德诺 封装: SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 当前型号 | 超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | 当前型号 | |
型号: ADR421BRZ-REEL7 品牌: 亚德诺 封装: SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 完全替代 | 2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。 | ADR421BR-REEL7和ADR421BRZ-REEL7的区别 | |
型号: ADR421BRZ 品牌: 亚德诺 封装: 8SOIC 5V 10mA 8Pin | 类似代替 | 超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References | ADR421BR-REEL7和ADR421BRZ的区别 | |
型号: ADR421BR 品牌: 亚德诺 封装: SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 类似代替 | 超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | ADR421BR-REEL7和ADR421BR的区别 |