容差 ±0.04 %
输入电压DC 4.50V ~ 18.0V
输出电压 2.5 V
输出电流 10 mA
供电电流 600 μA
通道数 1
输入电压Max 18 V
输出电压Max 2.5 V
输出电压Min 2.5 V
输出电流Max 10 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
精度 ±0.04 %
输入电压 4.5V ~ 18V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
温度系数 ±3 ppm/℃
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
ADR421BR引脚图
ADR421BR封装图
ADR421BR封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR421BR | ADI 亚德诺 | 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ADR421BR 品牌： ADI 亚德诺 封装： SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 当前型号 | 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | 当前型号 |
| 型号： ADR421BRZ 品牌： 亚德诺 封装： 8SOIC 5V 10mA 8Pin | 完全替代 | 超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References | ADR421BR和ADR421BRZ的区别 |
| 型号： ADR421BRZ-REEL7 品牌： 亚德诺 封装： SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 类似代替 | 2.5V，Analog Devices### 电压参考，Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。 | ADR421BR和ADR421BRZ-REEL7的区别 |
| 型号： ADR421BR-REEL7 品牌： 亚德诺 封装： SOIC 2.5V 10mA 8Pin | 类似代替 | 超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References | ADR421BR和ADR421BR-REEL7的区别 |
