TPS1120D、TPS1120DG4、TPS1120DR对比区别

高亮显示差异参数

型号 TPS1120D TPS1120DG4 TPS1120DR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TPS1120D  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 1.17 A, -15 V, 0.18 ohm, -10 V, -1.25 V双P沟道增强型MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSP沟道增强方式MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -15.0 V - -15.0 V

额定电流 -1.70 A - -1.17 A

输出电压 -15.0 V - -

通道数 2 2 -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.18 Ω 180 mΩ -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 840 mW 0.84 W 0.84 W

阈值电压 1.25 V - -

漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V

漏源击穿电压 15 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.17 A 1.17A 1.17 A

上升时间 10 ns 10 ns 10 ns

输出电流(Max) 1.7 A - -

额定功率(Max) 840 mW 840 mW 840 mW

下降时间 2 ns 10 ns 2 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 840 mW 840 mW 840 mW

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.9 mm -

高度 1.58 mm 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - -

香港进出口证 NLR - -