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2N6287、JANTX2N6287、MJ11015G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6287 JANTX2N6287 MJ11015G

描述 STMICROELECTRONICS  2N6287  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 750 hFEPNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORPNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

耗散功率 160 W 175 W 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 120 V

最小电流放大倍数(hFE) 750 @10A, 3V 1250 @10A, 3V 1000 @20A, 5V

额定功率(Max) 160 W 175 W 200 W

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160000 mW 175000 mW 200000 mW

额定电压(DC) -100 V - -120 V

额定电流 -20.0 A - -30.0 A

输出电压 - - 120 V

输出电流 - - 30 A

针脚数 2 - 2

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

集电极最大允许电流 - - 30A

直流电流增益(hFE) 750 - 1000

增益带宽 - - 4MHz (Min)

输入电压 - - 5 V

封装 TO-3 TO-3 TO-204-2

长度 - - 39.37 mm

宽度 26.2 mm - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

工作温度 200℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Bag Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

军工级 - Yes -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99