2N6287中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -20.0 A
针脚数 2
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 160 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 750 @10A, 3V
额定功率Max 160 W
直流电流增益hFE 750
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-3
外形尺寸
宽度 26.2 mm
封装 TO-3
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6287引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N6287
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6287 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS 2N6287 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 750 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N6287
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6287 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-3 PNP -100V -20A 160000mW | 当前型号 | STMICROELECTRONICS 2N6287 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 750 hFE | 当前型号 |
| 型号： MJ11015G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -120V -30A 200000mW | 功能相似 | PNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 2N6287和MJ11015G的区别 |
| 型号： 2N6287G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -100V -20A 160000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6287G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 100 hFE 新 | 2N6287和2N6287G的区别 |
| 型号： JANTX2N6287 品牌： 美高森美 封装： TO-3 175000mW | 功能相似 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 2N6287和JANTX2N6287的区别 |