JANTX2N6287
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTX2N6287中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 175 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 1250 @10A, 3V
额定功率Max 175 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 175000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
军工级 Yes
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTX2N6287引脚图与封装图
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在线购买JANTX2N6287
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTX2N6287 | Microsemi 美高森美 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTX2N6287
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTX2N6287 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 175000mW | 当前型号 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
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| 型号： 2N6287 品牌： 意法半导体 封装： TO-3 PNP -100V -20A 160000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS 2N6287 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 160 W, -20 A, 750 hFE | JANTX2N6287和2N6287的区别 |
| 型号： JANTXV2N6287 品牌： M/A-Com 封装： | 功能相似 | DIODE | JANTX2N6287和JANTXV2N6287的区别 |