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MMBFJ310LT1、MMBFJ310LT3G、MMBFU310LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBFJ310LT1 MMBFJ310LT3G MMBFU310LT1G

描述 JFET VHF / UHF放大器晶体管 JFET VHF/UHF Amplifier TransistorN 通道 JFET,ON Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。ON SEMICONDUCTOR  MMBFU310LT1G  晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 60 mA 10.0 mA 10.0 mA

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25 V 25 V

栅源击穿电压 25.0 V 25.0 V 25.0 V

增益 12 dB 12 dB -

测试电流 10 mA 10 mA -

额定电压 25 V 25 V -

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

击穿电压 - -25.0 V -25.0 V

耗散功率 - 225 mW 225 mW

连续漏极电流(Ids) - - 10.0 mA

击穿电压 - 25 V 25 V

输入电容(Ciss) - - 5pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) - - 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 225 mW

输入电容 - 5.00 pF -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99