BSP52T1G、BSP52T3G、BSP52,115对比区别

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型号 BSP52T1G BSP52T3G BSP52,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  BSP52T3G  达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223NXP  BSP52,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出电压 80 V 80 V -

输出电流 1 A 1 A -

电路数 4 - -

针脚数 4 4 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 800 mW 800 mW 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

热阻 156℃/W (RθJA) 156℃/W (RθJA) -

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 1.25 W

直流电流增益(hFE) 1000 2000 2000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 125 W 1250 mW

输入电压 5 V 5 V -

增益带宽 - - 200 MHz

长度 6.5 mm 6.7 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.7 mm

高度 1.57 mm 1.75 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -