SI9424DY、STS6PF30L、STS7PF30L对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI9424DY STS6PF30L STS7PF30L

描述 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETP沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFETP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -8.00 A -6.00 A -7.00 A

漏源极电阻 19.0 mΩ 30.0 mΩ 0.016 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±10.0 V ±16.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 6.00 A 7.00 A

上升时间 15.0 ns 140 ns 54 ns

输入电容(Ciss) 2260pF @10V(Vds) 1670pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

下降时间 - 19 ns 23 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)

输入电容 2.26 nF - -

栅电荷 23.0 nC - -

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

阈值电压 - - 1.6 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -