额定电压DC -20.0 V
额定电流 -8.00 A
漏源极电阻 19.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5W Ta
输入电容 2.26 nF
栅电荷 23.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±10.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 15.0 ns
输入电容Ciss 2260pF @10VVds
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI9424DY | Fairchild 飞兆/仙童 | 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI9424DY 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC P-Channel 20V 8A 19mohms 2.26nF | 当前型号 | 单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
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型号: STS6PF30L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC P-Channel 30V 6A 30mohms | 功能相似 | P沟道30V - 0.027欧姆 - 6A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.027 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET | SI9424DY和STS6PF30L的区别 | |
型号: STS3DPF60L 品牌: 意法半导体 封装: SOIC P-Channel 60V 3A 120mohms | 功能相似 | 双P沟道60V - 0.10欧姆 - 3A SO- 8 MOSFET的STripFET DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET | SI9424DY和STS3DPF60L的区别 |