MMBT5550LT1G、PMBT5550,215、MMBT5550LT1对比区别

高亮显示差异参数

型号 MMBT5550LT1G PMBT5550,215 MMBT5550LT1

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT5550LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 225 mW, 600 mA, 250 hFENXP  PMBT5550,215  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE高电压晶体管 High Voltage Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 140 V - 140 V

额定电流 600 mA - 600 mA

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 140 V 140 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.3A 0.06A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 250 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 250 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW - -

频率 - 300 MHz -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @1mA, 5V -

长度 3.04 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.01 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99