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PMBT5550,215

PMBT5550,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PMBT5550,215  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE

The is a NPN High Voltage Transistor housed in a surface-mount plastic package.

.
Low current
.
Low voltage
.
PNP complement is PMBT5401
.
1F Marking code

得捷:
TRANS NPN 140V 0.3A SOT23


艾睿:
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R


富昌:
PMBT5550 系列 140 V 300 mA 表面贴装 NPN 高压 晶体管 - SOT-23-3


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 140V 0.3A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# NXP  PMBT5550,215  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 20 hFE


PMBT5550,215中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 140 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 60 @1mA, 5V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PMBT5550,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PMBT5550,215
型号 制造商 描述 购买
PMBT5550,215 NXP 恩智浦 NXP  PMBT5550,215  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE 搜索库存
替代型号PMBT5550,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PMBT5550,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-23 NPN 0.25W

当前型号

NXP  PMBT5550,215  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 300 MHz, 250 mW, 300 mA, 60 hFE

当前型号

型号: PMBT5550,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 250mW

类似代替

TO-236AB NPN 140V 0.3A

PMBT5550,215和PMBT5550,235的区别

型号: PMBT5551,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 NPN 250mW

类似代替

TO-236AB NPN 160V 0.3A

PMBT5550,215和PMBT5551,235的区别

型号: MMBT5550LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 140V 600mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBT5550LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 140 V, 225 mW, 600 mA, 250 hFE

PMBT5550,215和MMBT5550LT1G的区别