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BC858CDXV6T1G、BC858CDXV6T5、BC858CDXV6T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858CDXV6T1G BC858CDXV6T5 BC858CDXV6T5G

描述 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorSOT-563 PNP 30V 0.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

引脚数 6 - -

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

频率 100 MHz - -

针脚数 6 - -

耗散功率 500 mW - -

直流电流增益(hFE) 420 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -