IRFR024NTRPBF、STD12NF06LT4、AOD444对比区别

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型号 IRFR024NTRPBF STD12NF06LT4 AOD444

描述 N沟道,55V,17A,75mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V60V,12A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - - 20 W

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 45 W 30 W 2 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A 12A

上升时间 34.0 ns 35 ns 3.4 ns

输入电容(Ciss) 370pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 540pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 30 W 20 W

下降时间 - 13 ns 2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 42.8W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 17.0 A 12.0 A -

漏源极电阻 0.075 Ω 0.08 Ω -

产品系列 IRFR024N - -

输入电容 370pF @25V 350 pF -

漏源击穿电压 55 V 60.0 V -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.6 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

宽度 - 6.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -