额定电压DC 55.0 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 45 W
产品系列 IRFR024N
输入电容 370pF @25V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 34.0 ns
输入电容Ciss 370pF @25VVds
额定功率Max 45 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFR024NTRPBF | International Rectifier 国际整流器 | N沟道,55V,17A,75mΩ@10V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR024NTRPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-252 N-Channel 55V 17A | 当前型号 | N沟道,55V,17A,75mΩ@10V | 当前型号 | |
型号: STD12NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V | IRFR024NTRPBF和STD12NF06LT4的区别 | |
型号: STD15NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V | IRFR024NTRPBF和STD15NF10T4的区别 | |
型号: STD12NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V | IRFR024NTRPBF和STD12NF06T4的区别 |