AOD444
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOD444中文资料参数规格
技术参数
额定功率 20 W
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 3.4 ns
输入电容Ciss 540pF @30VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AOD444引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AOD444
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOD444 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： DPAK N-CH 60V 12A | 当前型号 | 60V,12A,N沟道MOSFET | 当前型号 |
| 型号： AOI444 品牌： 万代半导体 封装： TO N-CH 60V 12A | 功能相似 | 60V,12A,N沟道MOSFET | AOD444和AOI444的区别 |